Ноутбуки вже давно є незамінними помічниками людей різного віку і статусу. Чому? Ці пристрої вражають своєю функціональністю, компактністю і практичністю. Їх зручно брати з собою на роботу, навчання, в подорожі.

Компанія Intel ще в 2011 році оголосила про намір впровадити 10-нм технологію у виробництво процесорів. Однак у міру наближення до дати запуску у фірми виникали різні проблеми і початковий термін переходу на нові технології, намічений на 2018 рік, неодноразово переносився. У результаті процесори настільні Comet Lake-S, вихід на ринок яких намічений на другу половину весни 2020 року, будуть проводитися за 14-нм техпроцесом, з архітектурою Skylake. Тим не менш, чіпи отримають новий роз'єм LGA 1200, що прийшов на зміну LGA 1200, а також збільшиться до 10 кількість ядер у флагманських процесорах. Наступним етапом розвитку виробництва процесорів від Intel, стане впуск Rocket Lake-S, запланований на 2021 рік. У чіпах буде використана архітектура Willow Cove і GPU Intel Xe, проте збережеться 14-нм техпроцес. Тим часом перші процесори Intel, згідно з відомостями інсайдерів, з'являться на ринку не раніше 2022 року, і це буде модельний ряд Alder Lake-S.В інформації, що з'явилася в інтернеті і заснованої на поки не підтверджених відомостях з неназваних джерел, серія процесорів Alder Lake-S вийде в рамках Intel Core 12-го покоління, змінить архітектуру і отримає до 16. У настільних x86-сумісних процесорах компанія Intel планує використовувати технології подібні big. LITTLE, що застосовуються в процесорах ARM починаючи з 2011 року і розвинені в даний час в DynamIQ. Ці технології дозволяють створювати процесори з декількох кластерів різної продуктивності. При цьому у big. LITTLE ядра можна підрозділювати на високопродуктивні та енергоефективні, а в DynamIQ використаний більш прогресивний підхід, що дозволяє інтегрувати різні ядра. На демонстраційному слайді, що з'явився в мережі, видно, що Intel буде використовувати в Alder Lake-S 8 високопродуктивних ядер Golden Cove і 8 енергоефективних ядер Gracemont. В інсайдерській таблиці також можна побачити і модель з 6-ма високопродуктивними ядрами та інтегрованим графічним процесором. Враховуючи витоки можна припустити, що серія процесорів Alder Lake-S стане результатом еволюційного розвитку гібридних процесорів Lakefield, виробництво яких здійснюється із застосуванням революційної технології об'ємної компоновки Foveros. Однокристальна система Lakefield використовується в планшеті з двома дисплеями Surface Neo, де перший раз був застосований спосіб використання ядер різної продуктивності (одне продуктивне ядро Sunny Cove, 10-нм енергоефективні ядра на архітектурі Tremont, системна логіка, графіка Gen11 і 8 ГБ системна пам'ять LPDDR47). У майбутніх процесорах Alder Lake-S, при виробництві яких буде задіяний 10 нм технологічний процес, буде використано материнські плати з новим роз'ємом LGA1700 і можливо підтримки PCIe 4.0. Конкуренти з AMD використовують з 2016 року сокет AMD AM4, який ще прослужить як мінімум до виходу в 2021 році настільних CPU AMD Ryzen 4000. І тільки Ryzen 5000 на архітектурі Zen 4, що підтримує DDR5 і PCIe 5.0 буде використовувати нові сокети. Компанія AMD на рік випереджає зі своїм Ryzen 3000-ї серії новий процесор Intel Comet Lake-S. При цьому AMD намічає на 2022 рік вихід нових чіпів з архітектурою Zen 4 у виробництві яких використано 5 нм технології.

Основною проблемою для широкого поширення електромобілів є мала ємність батарей, що не дозволяє здійснювати тривалі переїзди на одному заряді і тривалий час зарядки акумуляторів. Вирішення основних проблем електромобілів може бути знайдено за допомогою технологи пропонованої компанією Toomen New Energy з Китаю, що створила силові конденсатори, що дозволяють досягти компромісу між суперконденсаторами і літієво-іонними батареями.

Інноваційна технологія твердотільних батарей здатна повністю перетворити сучасну автомобільну промисловість, повністю змінити життя сучасної людини. Провідний виробник акумуляторів компанія Samsung SDI активно досліджує перспективні технології твердотільних акумуляторів і нещодавно заявила про черговий прорив, здатний забезпечити якнайшвидше впровадження таких батарей. Повністю твердотільні акумулятори з тривалим терміном служби були досліджені колективом вчених з двох наукових підрозділів Samsung: Вищого технологічного інституту Samsung і Науково-дослідного інституту Samsung в Японії. Результати наукової роботи над створенням високоефективних і довговічних батарей були представлені 9 березня в Лондоні.Головною перевагою твердотільних акумуляторів, перед найпоширенішими на сьогоднішній день літій-іонними батареями, стає питома щільність зберігається енергії на одиницю маси. Твердотільні батареї мають значно вищу ємність порівняно з порівнянними за масою традиційними акумуляторами. При цьому завдається менша шкода навколишньому середовищу і підвищується безпека експлуатації. Однак аноди з літію, найбільш часто використовувані в повністю твердотільних батареях, схильні викликати зростання дендритів, що негативні побічні ефекти, зменшують термін служби батареї і її безпеку. Вирішенню цієї проблеми і присвячені розробки інженерів-дослідників з Samsung.В якості аноду було запропоновано використовувати композитний матеріал зі срібла з вуглецем (Ag-C). Застосування такого типу анодів випробувано на прототипі і показало значне зростання ємності, часу експлуатації та підвищення безпеки. Товщина нанослоя зі срібла з вуглецем становить всього 5 мкм, що забезпечило зниження товщини аноду і підвищення щільності енергоємності до 900 Втч/л. Обсяг розробленого прототипу був на 50% меншим щодо аналогічного літій-іонного акумулятора. Лабораторний прототип створений інженерами Samsung здатний забезпечити енергією електромобіль на 800 км автономного шляху без підзарядки. При цьому твердотельний акумулятор має термін експлуатації понад 1000 циклів підзарядки. Такі характеристики, у разі створення серійних акумуляторів, здатні призвести до значного розширення ринку електромобілів. Тим не менш, розробники поки не оголосили про терміни початку серійного виробництва таких твердотільних батарей і не згадали про ймовірну вартість таких пристроїв.