При виборі сучасного смартфона користувачі рідко звертають особливу увагу на підсистему оперативної пам'яті - зазвичай справа закінчується лише інформацією про обсяг «оперативки». Але це аж ніяк не означає, що розробники інтегральних мікросхем не займаються розвитком і удосконаленням мобільної DRAM. Наприклад, компанія Samsung щойно оголосила про старт серійного випуску нових чіпів типу LPDDR3, виготовлених за 20-нм технологічним процесом і які мають ємність 4 Гбіт.
За задумом розробників, мікросхеми LPDDR3 повинні замінити на ринку мікросхеми типу LPDDR2, принаймні, в секторі «топових» смартфонів і планшетних комп'ютерів. Для цього новачки мають цілу низку переваг: меншими розмірами, більшою ефективністю, більш високою продуктивністю (пропускна здатність 2133 Мбіт/с проти 800 Мбіт/с у LPDDR2), і - що дуже важливо для ринку портативної електроніки, - зниженим на 20% енергоспоживанням. Зазначимо, що об'єднавши чотири чіпи LPDDR3, OEM-виробники оперативної пам'яті отримають в результаті модуль об'ємом 2 Гбайт, «упакований» у вельми і вельми компактний корпус товщиною всього 0,8 мм.
У найближчому майбутньому компанія Samsung планує зробити ставку саме на 20-нм інтегральні мікросхеми оперативної пам'яті, постійно збільшуючи обсяги випуску виробів нового покоління. Це дозволить їй успішно боротися з конкурентами на ринку мобільних DRAM-мікросхем, який, за даними аналітичного агентства Gartner, буде з року в рік тільки нарощувати обсяги. Прогноз на найближчий час виглядає наступним чином: за підсумками 2013 року очікується збільшення обсягів ринку оперативної пам'яті на 13%, до позначки в $29,6 млрд. З них близько 35% припадатиме саме на сегмент мобільної DRAM, або близько $10 млрд.